FQP47P06

Name: TFQP47p06 TFQP47p06
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFQP47p06
Price: 2.1587 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFQP47p06

Gehäuse: TO220

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	26mOhm
Max. Drainstrom:	47A
Maximaler Leistungsverlust:	160W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP47P06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

45 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	3,0231	2,6120	2,3701	2,2174	2,1587

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP47P06 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

732 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,1587

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP47P06 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

319 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,1587

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP47P06 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

880 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,1587

Widerstand im offenen Kanal:	26mOhm
Max. Drainstrom:	47A
Maximaler Leistungsverlust:	160W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT