FQP47P06
Symbol Micros:
TFQP47p06
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 26mOhm |
| Max. Drainstrom: | 47A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 160W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 26mOhm |
| Max. Drainstrom: | 47A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 160W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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