FQP50N06 JSMICRO

Symbol Micros: TFQP50n06 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FQP50N06 Onsemi;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FQP50N06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6829 0,4315 0,3414 0,3106 0,2964
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 120W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole