FQP6N80C

Name: TFQP6n80c TFQP6n80c
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFQP6n80c
Price: 1.0480 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFQP6n80c

Gehäuse: TO220AB

N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 2,5 Ohm; 5,5A; 158W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,5Ohm
Max. Drainstrom:	5,5A
Maximaler Leistungsverlust:	158W
Gehäuse:	TO220AB
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP6N80C RoHS Gehäuse: TO220AB

Auf Lager:

90 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1749	0,8968	0,7433	0,6498	0,6186

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP6N80C Gehäuse: TO220AB

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350 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1035

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP6N80C Gehäuse: TO220AB

Externes Lager:

700 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0229

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP6N80C Gehäuse: TO220AB

Externes Lager:

2200 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0480

Widerstand im offenen Kanal:	2,5Ohm
Max. Drainstrom:	5,5A
Maximaler Leistungsverlust:	158W
Gehäuse:	TO220AB
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT