FQP6N90C

Symbol Micros: TFQP6n90c

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 2,3 Ohm; 6A; 167W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,3Ohm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	167W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP6N90C ROHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,5226	2,1161	1,8807	1,7357	1,6810

Widerstand im offenen Kanal:	2,3Ohm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	167W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT