FQPF20N06L

Symbol Micros: TFQPF20n06l

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 70mOhm; 15,7A; 30W; -55 °C ~ 175 °C; OBSOLETE;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	70mOhm
Max. Drainstrom:	15,7A
Maximaler Leistungsverlust:	30W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQPF20N06L RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	20+	50+
Nettopreis (EUR)	1,9546	1,6183	1,4245	1,3591	1,3030

Widerstand im offenen Kanal:	70mOhm
Max. Drainstrom:	15,7A
Maximaler Leistungsverlust:	30W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT