FQPF2N60C
Symbol Micros:
TFQPF2n60c
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 4,7 Ohm; 2A; 23W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4,7Ohm |
Max. Drainstrom: | 2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 23W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FQPF2N60C RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,5127 | 1,1557 | 0,9560 | 0,8386 | 0,7963 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQPF2N60C RoHS
Gehäuse: TO220iso
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,5127 | 1,1557 | 0,9560 | 0,8386 | 0,7963 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQPF2N60C
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
14650 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7963 |
Widerstand im offenen Kanal: | 4,7Ohm |
Max. Drainstrom: | 2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 23W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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