FQPF2N60C

Symbol Micros: TFQPF2n60c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 4,7 Ohm; 2A; 23W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 23W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQPF2N60C RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5127 1,1557 0,9560 0,8386 0,7963
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQPF2N60C RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5127 1,1557 0,9560 0,8386 0,7963
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQPF2N60C Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
14650 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7963
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,7Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 23W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT