FQPF2N60C

Symbol Micros: TFQPF2n60c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 4,7 Ohm; 2A; 23W; -55 °C ~ 150 °C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 23W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQPF2N60C RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6378 1,2485 1,0349 0,9067 0,8616
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQPF2N60C RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6378 1,2485 1,0349 0,9067 0,8616
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,7Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 23W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole