FQPF3N80C

Symbol Micros: TFQPF3n80c
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Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 4,8 Ohm; 3A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,8Ohm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 39W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQPF3N80C Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
550 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8047
Standard-Verpackung:
50
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,8Ohm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 39W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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