FQPF8N80C

Symbol Micros: TFQPF8n80c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,55 Ohm; 8A; 59W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,55Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 59W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQPF8N80C RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,4496 1,9429 1,7561 1,6627 1,6323
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Standard-Verpackung:
20
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQPF8N80C Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,6323
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,55Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 59W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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