FQT5P10TF

Symbol Micros: TFQT5p10tf

Gehäuse: SOT223

P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 1,05 Ohm; 1A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; FQT5P10TF-TP; FQT5P10TF-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,05Ohm
Max. Drainstrom:	1A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: FQT5P10TF-TP RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	40+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	0,5745	0,3596	0,2872	0,2569	0,2499

Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: FQT5P10TF-VB RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,6072	0,3830	0,2989	0,2732	0,2639

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQT5P10TF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

8000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2653

Widerstand im offenen Kanal:	1,05Ohm
Max. Drainstrom:	1A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD