FQT5P10TF
Symbol Micros:
TFQT5p10tf
Gehäuse: SOT223
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,05Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer: FQT5P10TF-TP RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
150 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 40+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5777 | 0,3616 | 0,2888 | 0,2583 | 0,2513 |
Hersteller: VBsemi
Hersteller-Teilenummer: FQT5P10TF-VB RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5777 | 0,3640 | 0,2865 | 0,2606 | 0,2513 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-07-30
Anzahl Stück: 350
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,05Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Montage: | SMD |
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