FQU2N100TU

Symbol Micros: TFQU2n100tu
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 9Ohm; 1,6A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQU2N100TU RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 70+ 280+
Nettopreis (EUR) 0,8746 0,6483 0,4781 0,4128 0,3801
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Standard-Verpackung:
70
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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