FQU2N60CTU

Symbol Micros: TFQU2n60ctu
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: IPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 4,7 Ohm; 1,9A; 44W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7Ohm
Max. Drainstrom: 1,9A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQU2N60CTU RoHS Gehäuse: IPAK  
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 70+ 280+
Nettopreis (EUR) 0,7020 0,5201 0,3848 0,3312 0,3055
Standard-Verpackung:
70/3570
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQU2N60CTU Gehäuse: IPAK  
Externes Lager:
2240 stk.
Anzahl Stück 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3331
Standard-Verpackung:
70
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,7Ohm
Max. Drainstrom: 1,9A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT