FQU2N60CTU
Symbol Micros:
TFQU2n60ctu
Gehäuse: IPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 4,7 Ohm; 1,9A; 44W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4,7Ohm |
Max. Drainstrom: | 1,9A |
Maximaler Leistungsverlust: | 44W |
Gehäuse: | IPAK |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FQU2N60CTU RoHS
Gehäuse: IPAK
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 5+ | 20+ | 70+ | 280+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6914 | 0,5123 | 0,3790 | 0,3262 | 0,3009 |
Widerstand im offenen Kanal: | 4,7Ohm |
Max. Drainstrom: | 1,9A |
Maximaler Leistungsverlust: | 44W |
Gehäuse: | IPAK |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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