FZT649

Symbol Micros: TFZT649
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
NPN 3A 25V 2W 240MHz NPN 3A 25V 2W 240MHz
Parameter
Verlustleistung: 3W
Grenzfrequenz: 240MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 3W
Grenzfrequenz: 240MHz
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN