GAN063-650WSAQ
Symbol Micros:
TGAN063-650WSAQ
Gehäuse: TO247
N-Channel-GaN/MOS-FET-Transistor; 650V; 20V; 120 mOhm; 34,5A; 143W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 34,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 143W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: GAN063-650WSAQ RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 10+ | 20+ | 40+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 17,3108 | 14,3241 | 13,5768 | 13,0327 | 12,6357 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: GAN063-650WSAQ
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
300 stk.
| Anzahl Stück | 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 12,6400 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: GAN063-650WSAQ
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
260 stk.
| Anzahl Stück | 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 12,6357 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 34,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 143W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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