HGTG10N120BND

Symbol Micros: THGTG10n120bnd
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Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 1200V; 20V; 35A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 150nC
Maximale Verlustleistung: 298W
Max. Kollektor-Strom: 35A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 6,0V ~ 6,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG10N120BND Gehäuse: TO247  
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449 stk.
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Nettopreis (EUR) 2,0618
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 150nC
Maximale Verlustleistung: 298W
Max. Kollektor-Strom: 35A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 6,0V ~ 6,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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