HGTG11N120CND
Symbol Micros:
THGTG11n120cnd
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
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Parameter
| Gate-Ladung: | 150nC |
| Maximale Verlustleistung: | 298W |
| Max. Kollektor-Strom: | 43A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 80A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 6,0V ~ 6,8V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: HGTG11N120CND RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
28 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,0895 | 3,6338 | 3,3590 | 3,2228 | 3,1453 |
| Gate-Ladung: | 150nC |
| Maximale Verlustleistung: | 298W |
| Max. Kollektor-Strom: | 43A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 80A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 6,0V ~ 6,8V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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