HGTG11N120CND

Symbol Micros: THGTG11n120cnd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 150nC
Maximale Verlustleistung: 298W
Max. Kollektor-Strom: 43A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 6,0V ~ 6,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG11N120CND RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
28 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 4,1624 3,6986 3,4188 3,2802 3,2013
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 150nC
Maximale Verlustleistung: 298W
Max. Kollektor-Strom: 43A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 6,0V ~ 6,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT