HGTG12N60A4D
Symbol Micros:
THGTG12n60a4d
Gehäuse: TO247
54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode
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Parameter
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 167W |
| Max. Kollektor-Strom: | 54A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 96A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,6V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: HGTG12N60A4D RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
1 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 9+ | 30+ | 93+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 6,3509 | 5,3859 | 4,8345 | 4,4956 | 4,3204 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-08-02
Anzahl Stück: 30
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 167W |
| Max. Kollektor-Strom: | 54A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 96A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,6V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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