HGTG12N60A4D
Symbol Micros:
THGTG12n60a4d
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;
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Parameter
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 167W |
| Max. Kollektor-Strom: | 54A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 96A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,6V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: HGTG12N60A4D RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
30 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,1094 | 4,7041 | 4,4554 | 4,3288 | 4,2574 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: HGTG12N60A4D RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
1 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 9+ | 30+ | 93+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 6,2583 | 5,3074 | 4,7640 | 4,4301 | 4,2574 |
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 167W |
| Max. Kollektor-Strom: | 54A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 96A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,6V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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