HGTG12N60A4D

Symbol Micros: THGTG12n60a4d

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;

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Parameter

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	167W
Max. Kollektor-Strom:	54A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	96A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,6V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG12N60A4D RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	5,1920	4,7802	4,5275	4,3988	4,3263

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG12N60A4D RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

1 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	9+	30+	93+
Nettopreis (EUR)	6,3595	5,3932	4,8410	4,5017	4,3263

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	167W
Max. Kollektor-Strom:	54A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	96A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,6V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT