HGTG12N60C3D

Symbol Micros: THGTG12n60c3d

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 96A; 104W; 3.0V~6,0V; 71nC; -40°C~150°C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Gate-Ladung:	71nC
Maximale Verlustleistung:	104W
Max. Kollektor-Strom:	24A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	96A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Gate-Ladung:	71nC
Maximale Verlustleistung:	104W
Max. Kollektor-Strom:	24A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	96A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT