HGTG20N60A4

Symbol Micros: THGTG20N60A4

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;

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Parameter

Gate-Ladung:	210nC
Maximale Verlustleistung:	290W
Max. Kollektor-Strom:	70A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	280A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,5V ~ 7,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Gate-Ladung:	210nC
Maximale Verlustleistung:	290W
Max. Kollektor-Strom:	70A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	280A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,5V ~ 7,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT