HGTG20N60B3D
Symbol Micros:
THGTG20n60b3d
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 160A; 165W; 3,0V~6,0V; 135nC; -40°C~150°C;
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Parameter
Gate-Ladung: | 135nC |
Maximale Verlustleistung: | 165W |
Max. Kollektor-Strom: | 40A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,0V ~ 6,0V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gate-Ladung: | 135nC |
Maximale Verlustleistung: | 165W |
Max. Kollektor-Strom: | 40A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,0V ~ 6,0V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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