HGTG30N60B3D
Symbol Micros:
THGTG30n60b3d
Gehäuse: TO247
60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode
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Parameter
| Gate-Ladung: | 250nC |
| Maximale Verlustleistung: | 208W |
| Max. Kollektor-Strom: | 60A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 220A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,2V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gate-Ladung: | 250nC |
| Maximale Verlustleistung: | 208W |
| Max. Kollektor-Strom: | 60A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 220A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,2V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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