HGTG30N60B3D

Symbol Micros: THGTG30n60b3d

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 220A; 208W; 4,2V~6,0V; 250nC; -55°C~150°C;

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Parameter

Gate-Ladung:	250nC
Maximale Verlustleistung:	208W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	220A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,2V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Gate-Ladung:	250nC
Maximale Verlustleistung:	208W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	220A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,2V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT