HGTG40N60A4
Symbol Micros:
THGTG40n60a4
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 300A; 625W; 4,5V~7,0V; 520nC; -55°C~150°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 520nC |
| Maximale Verlustleistung: | 625W |
| Max. Kollektor-Strom: | 75A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 300A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 7,0V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: HGTG40N60A4 RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
19 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 10,8864 | 9,3547 | 8,3994 | 7,9016 | 7,6133 |
| Gate-Ladung: | 520nC |
| Maximale Verlustleistung: | 625W |
| Max. Kollektor-Strom: | 75A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 300A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 7,0V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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