HGTG40N60A4

Name: THGTG40n60a4 THGTG40n60a4
Brand: ON-Semicoductor
SKU: THGTG40n60a4
Price: 7.4781 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: THGTG40n60a4

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 300A; 625W; 4,5V~7,0V; 520nC; -55°C~150°C;

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Parameter

Gate-Ladung:	520nC
Maximale Verlustleistung:	625W
Max. Kollektor-Strom:	75A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	300A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,5V ~ 7,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG40N60A4 RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

19 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	10,6931	9,1885	8,2503	7,7612	7,4781

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG40N60A4 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	7,4781

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG40N60A4 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

60 stk.

Anzahl Stück	30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	7,4781

Gate-Ladung:	520nC
Maximale Verlustleistung:	625W
Max. Kollektor-Strom:	75A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	300A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,5V ~ 7,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT