HGTP12N60A4D

Symbol Micros: THGTP12n60a4d

Gehäuse: TO220

Trans IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;

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Parameter

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	167W
Max. Kollektor-Strom:	54A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	96A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,6V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	167W
Max. Kollektor-Strom:	54A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	96A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,6V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT