HGTP20N60A4

Symbol Micros: THGTP20n60a4
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 210nC
Maximale Verlustleistung: 290W
Max. Kollektor-Strom: 70A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 280A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 7,0V
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: HGTP20N60A4 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
19 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,9888 2,5820 2,3427 2,1919 2,1345
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 210nC
Maximale Verlustleistung: 290W
Max. Kollektor-Strom: 70A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 280A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 7,0V
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT