HGTP20N60A4
Symbol Micros:
THGTP20n60a4
Gehäuse: TO220
70A; 600V; 290W; IGBT
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Parameter
| Gate-Ladung: | 210nC |
| Maximale Verlustleistung: | 290W |
| Max. Kollektor-Strom: | 70A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 280A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 7,0V |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: HGTP20N60A4 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
49 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5703 | 2,1544 | 1,9160 | 1,7665 | 1,7127 |
| Gate-Ladung: | 210nC |
| Maximale Verlustleistung: | 290W |
| Max. Kollektor-Strom: | 70A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 280A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 7,0V |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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