HUF75344G3

Symbol Micros: THUF75344g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 20V; 8mOhm; 75A; 285 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 285W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Msx. Drain-Gate Spannung: 55V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF75344G3 RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
34 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 240+
Nettopreis (EUR) 3,6009 2,8186 2,4683 2,4006 2,3235
Standard-Verpackung:
30/60
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF75344G3 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
390 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,3235
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 285W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Msx. Drain-Gate Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT