HUF75345G3

Symbol Micros: THUF75345g3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 20V; 7mOhm; 75A; 325 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 325W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Msx. Drain-Gate Spannung: 55V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 7mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 325W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Msx. Drain-Gate Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT