HUF75345P3

Symbol Micros: THUF75345p3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 20V; 7mOhm; 75A; 325 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 325W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Msx. Drain-Gate Spannung: 55V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF75345P3 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
110 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,0106 1,5973 1,3894 1,3661 1,3404
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF75345P3 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3404
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 325W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Msx. Drain-Gate Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT