HUF75345P3
Symbol Micros:
THUF75345p3
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 20V; 7mOhm; 75A; 325 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 7mOhm |
Max. Drainstrom: | 75A |
Maximaler Leistungsverlust: | 325W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 55V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: HUF75345P3 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
110 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
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Nettopreis (EUR) | 2,0106 | 1,5973 | 1,3894 | 1,3661 | 1,3404 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: HUF75345P3
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,3404 |
Widerstand im offenen Kanal: | 7mOhm |
Max. Drainstrom: | 75A |
Maximaler Leistungsverlust: | 325W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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