HUF75545P3

Symbol Micros: THUF75545p3

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 20V; 10mOhm; 75A; 270 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	10mOhm
Max. Drainstrom:	75A
Maximaler Leistungsverlust:	270W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Msx. Drain-Gate Spannung:	80V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF75545P3 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4038

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF75545P3 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3015

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF75545P3 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

7200 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3332

Widerstand im offenen Kanal:	10mOhm
Max. Drainstrom:	75A
Maximaler Leistungsverlust:	270W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Msx. Drain-Gate Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT