HUF75645P3

Name: THUF75645p3 THUF75645p3
Brand: ON-Semicoductor
SKU: THUF75645p3
Price: 1.5132 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: THUF75645p3

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 14mOhm; 75A; 310 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	14mOhm
Max. Drainstrom:	75A
Maximaler Leistungsverlust:	310W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF75645P3 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

19 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,4216	1,8588	1,5809	1,5459	1,5132

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF75645P3 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5132

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF75645P3 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1419 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5132

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: HUF75645P3 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

37750 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5132

Widerstand im offenen Kanal:	14mOhm
Max. Drainstrom:	75A
Maximaler Leistungsverlust:	310W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT