HX2301A

Symbol Micros: THX2301A HX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 2,5A; 130 mOhm; 0,9 W; -55°C~150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 900mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HX
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HX(hengjiaxing) Hersteller-Teilenummer: HX2301A RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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2600 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 6000+
Nettopreis (EUR) 0,0893 0,0355 0,0177 0,0141 0,0137
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Standard-Verpackung:
3000/6000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-12-30
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 900mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HX
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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