HYG013N03LS1C2 HUAYI

Symbol Micros: THYG013n03ls1c2
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Gehäuse: PDFN08(6x5)
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Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150A; 2,8mOhm; 65W; -55°C ~ 175°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,8mOhm
Max. Drainstrom: 150A
Maximaler Leistungsverlust: 65W
Gehäuse: PDFN08(6x5)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG013N03LS1C2 RoHS Gehäuse: DFN08(6x5) Datenblatt
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100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6940 0,4346 0,3622 0,3225 0,3014
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 2,8mOhm
Max. Drainstrom: 150A
Maximaler Leistungsverlust: 65W
Gehäuse: PDFN08(6x5)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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