HYG020N04NR1P HUAYI

Symbol Micros: THYG020n04nr1p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 220A; 2,4mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4mOhm
Max. Drainstrom: 200A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG020N04NR1P RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1238 0,7476 0,5771 0,5584 0,5350
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 2,4mOhm
Max. Drainstrom: 200A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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