HYG038N03LR1C2 HUAYI

Symbol Micros: THYG038n03lr1c2
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Gehäuse: PDFN08(6x5)
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Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 84A; 6,6mOhm; 53W; -55°C ~ 175°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,6mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 53W
Gehäuse: PDFN08(6x5)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG038N03LR1C2 RoHS Gehäuse: DFN08(6x5) Datenblatt
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200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2827 0,1799 0,1262 0,1096 0,1026
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 6,6mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 53W
Gehäuse: PDFN08(6x5)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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