HYG042N10NS1B HUAYI

Symbol Micros: THYG042n10ns1b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 160A; 4,2mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 160A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG042N10NS1B RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,3614 1,0392 0,8594 0,7543 0,7169
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 160A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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