HYG043N10NS2B HUAYI

Symbol Micros: THYG043n10ns2b
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Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 164A; 4,8mOhm; 258,6W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,8mOhm
Max. Drainstrom: 164A
Maximaler Leistungsverlust: 258,6W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG043N10NS2B RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0882 0,7239 0,6001 0,5394 0,5184
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 4,8mOhm
Max. Drainstrom: 164A
Maximaler Leistungsverlust: 258,6W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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