HYG060N08NS1P HUAYI
Symbol Micros:
THYG060n08ns1p
Gehäuse: TO220
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 105A; 6mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 105A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | HUAYI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 105A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | HUAYI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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