HYG060N08NS1P HUAYI

Symbol Micros: THYG060n08ns1p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 105A; 6mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6mOhm
Max. Drainstrom: 105A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG060N08NS1P RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,2053 0,8020 0,6178 0,5968 0,5735
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 6mOhm
Max. Drainstrom: 105A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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