HYG065N07NS1P HUAYI

Symbol Micros: THYG065n07ns1p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5Ohm; 125W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3205PBF;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 70V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG065N07NS1P RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8225 0,6122 0,4533 0,3809 0,3575
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20/100
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 70V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole