HYG090N06LS1P HUAYI
Symbol Micros:
THYG090n06ls1p
Gehäuse: TO220
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62A; 15,5mOhm; 75W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLZ44PBF; IRLZ44NPBF;
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 15,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 62A |
Maximaler Leistungsverlust: | 75W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | HUAYI |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 15,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 62A |
Maximaler Leistungsverlust: | 75W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | HUAYI |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole