HYG101N10LA1D HUAYI
Symbol Micros:
THYG101n10la1d
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15A; 125mOhm; 51,7W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLR120PBF; IRLR120TRLPBF; IRLR120TRPBF; IRLR120TRRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 125mOhm |
| Max. Drainstrom: | 15A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 51,7W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | HUAYI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 125mOhm |
| Max. Drainstrom: | 15A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 51,7W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | HUAYI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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