HYG101N10LA1D HUAYI

Symbol Micros: THYG101n10la1d
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15A; 125mOhm; 51,7W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR120PBF; IRLR120TRLPBF; IRLR120TRPBF; IRLR120TRRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 51,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG101N10LA1D RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4440 0,2687 0,2068 0,1867 0,1776
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 51,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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