HYG180N10LS1D HUAYI

Symbol Micros: THYG180n10ls1d
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 45A; 30mOhm; 71,4W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 71,4W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG180N10LS1D RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4884 0,2700 0,2135 0,2012 0,1949
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 71,4W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole