HYG180N10LS1P HUAYI

Symbol Micros: THYG180n10ls1p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 50A; 34mOhm; 93,7W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF540PBF; IRF540NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 93,7W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG180N10LS1P RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6936 0,4343 0,3409 0,3223 0,3012
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 93,7W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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