HYG260P03LR1S HUAYI

Symbol Micros: THYG260p03lr1s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8A; 55mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF7416PBF; IRF7416TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG260P03LR1S RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,3657 0,2414 0,1730 0,1482 0,1410
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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