HYG350N06LA1D HUAYI

Symbol Micros: THYG350n06la1d
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024PBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024TRPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 42,8W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG350N06LA1D RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4396 0,2661 0,2047 0,1848 0,1758
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 42,8W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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