IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies

Symbol Micros: TIGB10n60t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 30A; 110W; 4,1V~5,7V; 62nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGB10N60T;
Parameter
Gate-Ladung: 62nC
Maximale Verlustleistung: 110W
Max. Kollektor-Strom: 24A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGB10N60TATMA1 RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
27 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4153 0,9902 0,8431 0,7707 0,7450
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGB10N60TATMA1 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
2075 stk.
Anzahl Stück 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7450
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Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 62nC
Maximale Verlustleistung: 110W
Max. Kollektor-Strom: 24A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V

Symbol Micros

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