IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies
Symbol Micros:
TIGB10n60t
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Gate-Ladung: | 62nC |
| Maximale Verlustleistung: | 110W |
| Max. Kollektor-Strom: | 24A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 30A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gate-Ladung: | 62nC |
| Maximale Verlustleistung: | 110W |
| Max. Kollektor-Strom: | 24A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 30A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole