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IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies

Symbol Micros: TIGB10n60t

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 30A; 110W; 4,1V~5,7V; 62nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGB10N60T;

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Parameter

Gate-Ladung:	62nC
Maximale Verlustleistung:	110W
Max. Kollektor-Strom:	24A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGB10N60TATMA1 RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

37 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,4235	0,9960	0,8480	0,7752	0,7493

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGB10N60TATMA1 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

2290 stk.

Anzahl Stück	5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9211

Gate-Ladung:	62nC
Maximale Verlustleistung:	110W
Max. Kollektor-Strom:	24A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V