IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies

Symbol Micros: TIGD06n60t
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Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGD06N60TXT;

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Parameter
Gate-Ladung: 42nC
Maximale Verlustleistung: 88W
Max. Kollektor-Strom: 12A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 18A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGD06N60TATMA1 RoHS Gehäuse: TO252/3 (DPAK) Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0989 0,7318 0,6056 0,5471 0,5237
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Standard-Verpackung:
500
Gate-Ladung: 42nC
Maximale Verlustleistung: 88W
Max. Kollektor-Strom: 12A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 18A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD

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