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IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies

Symbol Micros: TIGD06n60t

Gehäuse: TO252/3 (DPAK)

Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGD06N60TXT;

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Parameter

Gate-Ladung:	42nC
Maximale Verlustleistung:	88W
Max. Kollektor-Strom:	12A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	18A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO252/3 (DPAK)
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGD06N60TATMA1 RoHS Gehäuse: TO252/3 (DPAK) Datenblatt

Auf Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,0995	0,7322	0,6059	0,5474	0,5240

Gate-Ladung:	42nC
Maximale Verlustleistung:	88W
Max. Kollektor-Strom:	12A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	18A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO252/3 (DPAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	SMD