IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies
Symbol Micros:
TIGD06n60t
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGD06N60TXT;
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Parameter
Gate-Ladung: | 42nC |
Maximale Verlustleistung: | 88W |
Max. Kollektor-Strom: | 12A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 18A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
Gehäuse: | TO252/3 (DPAK) |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gate-Ladung: | 42nC |
Maximale Verlustleistung: | 88W |
Max. Kollektor-Strom: | 12A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 18A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
Gehäuse: | TO252/3 (DPAK) |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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