IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies

Symbol Micros: TIGD06n60t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Zu favoriten hinzufügen
Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGD06N60TXT;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Gate-Ladung: 42nC
Maximale Verlustleistung: 88W
Max. Kollektor-Strom: 12A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 18A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGD06N60TATMA1 RoHS Gehäuse: TO252/3 (DPAK) Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0812 0,7201 0,5958 0,5383 0,5153
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Gate-Ladung: 42nC
Maximale Verlustleistung: 88W
Max. Kollektor-Strom: 12A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 18A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole