IGW15N120H3FKSA1

Symbol Micros: TIGW15n120h3

Gehäuse: TO247

IGBT 1200V 30A 217W

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Parameter

Gate-Ladung:	75nC
Maximale Verlustleistung:	217W
Max. Kollektor-Strom:	30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Gate-Ladung:	75nC
Maximale Verlustleistung:	217W
Max. Kollektor-Strom:	30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	SMD