IGW15N120H3FKSA1

Symbol Micros: TIGW15n120h3

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW15N120H3;

Parameter

Gate-Ladung:	75nC
Maximale Verlustleistung:	217W
Max. Kollektor-Strom:	30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW15N120H3FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

697 stk.

Anzahl Stück	30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,8913

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW15N120H3FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

93 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,6520

Gate-Ladung:	75nC
Maximale Verlustleistung:	217W
Max. Kollektor-Strom:	30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	SMD