IGW25N120H3
Symbol Micros:
TIGW25n120h3
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1
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Parameter
| Gate-Ladung: | 115nC |
| Maximale Verlustleistung: | 326W |
| Max. Kollektor-Strom: | 50A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 100A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGW25N120H3FKSA1 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
29 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,3488 | 4,4992 | 3,9880 | 3,7324 | 3,5897 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGW25N120H3FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
898 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,5897 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGW25N120H3FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
434 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,8417 |
| Gate-Ladung: | 115nC |
| Maximale Verlustleistung: | 326W |
| Max. Kollektor-Strom: | 50A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 100A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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