IGW25N120H3

Name: TIGW25n120h3 TIGW25n120h3
Brand: Infineon
SKU: TIGW25n120h3
Price: 3.6548 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIGW25n120h3

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1

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Parameter

Gate-Ladung:	115nC
Maximale Verlustleistung:	326W
Max. Kollektor-Strom:	50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	100A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW25N120H3FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

27 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	5,4459	4,5808	4,0604	3,8002	3,6548

Gate-Ladung:	115nC
Maximale Verlustleistung:	326W
Max. Kollektor-Strom:	50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	100A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT