IGW25N120H3
Symbol Micros:
TIGW25n120h3
Gehäuse: TO247
50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1
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Parameter
Gate-Ladung: | 115nC |
Maximale Verlustleistung: | 326W |
Max. Kollektor-Strom: | 50A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 100A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gate-Ladung: | 115nC |
Maximale Verlustleistung: | 326W |
Max. Kollektor-Strom: | 50A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 100A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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