IGW30N60T

Symbol Micros: TIGW30n60t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1

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Parameter
Gate-Ladung: 167nC
Maximale Verlustleistung: 187W
Max. Kollektor-Strom: 45A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 90A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW30N60TFKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,2656 2,6983 2,3607 2,1989 2,1075
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Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 167nC
Maximale Verlustleistung: 187W
Max. Kollektor-Strom: 45A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 90A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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