IGW30N60T

Symbol Micros: TIGW30n60t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
45A; 600V; 187W; IGBT IGW30N60TFKSA1

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Parameter
Gate-Ladung: 167nC
Maximale Verlustleistung: 187W
Max. Kollektor-Strom: 45A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 90A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW30N60TFKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,2549 2,6894 2,3530 2,1917 2,1006
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 167nC
Maximale Verlustleistung: 187W
Max. Kollektor-Strom: 45A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 90A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V