IGW40N60H3FKSA1
Symbol Micros:
TIGW40n60h3
Gehäuse: TO247
IGBT 600V 80A 306W
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Parameter
| Gate-Ladung: | 223nC |
| Maximale Verlustleistung: | 306W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-08-14
Anzahl Stück: 30
| Gate-Ladung: | 223nC |
| Maximale Verlustleistung: | 306W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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