IGW40N65F5
Symbol Micros:
TIGW40n65f5
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW40N65F5FKSA1;
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Parameter
Gate-Ladung: | 95nC |
Maximale Verlustleistung: | 250W |
Max. Kollektor-Strom: | 74A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,2V ~ 4,8V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gate-Ladung: | 95nC |
Maximale Verlustleistung: | 250W |
Max. Kollektor-Strom: | 74A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,2V ~ 4,8V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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