IGW40N65F5
Symbol Micros:
TIGW40n65f5
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW40N65F5FKSA1;
Parameter
| Gate-Ladung: | 95nC |
| Maximale Verlustleistung: | 250W |
| Max. Kollektor-Strom: | 74A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,2V ~ 4,8V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGW40N65F5FKSA1 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,6625 | 3,0800 | 2,7286 | 2,5564 | 2,4574 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGW40N65F5FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
497 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,4574 |
| Gate-Ladung: | 95nC |
| Maximale Verlustleistung: | 250W |
| Max. Kollektor-Strom: | 74A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,2V ~ 4,8V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |