IGW40N65F5FKSA1

Symbol Micros: TIGW40n65f5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT 650V 74A 255W
Parameter
Gate-Ladung: 95nC
Maximale Verlustleistung: 250W
Max. Kollektor-Strom: 74A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,2V ~ 4,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW40N65F5FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,6467 3,0667 2,7169 2,5454 2,4468
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 95nC
Maximale Verlustleistung: 250W
Max. Kollektor-Strom: 74A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,2V ~ 4,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT