IGW50N65F5FKSA1
Symbol Micros:
TIGW50n65f5
Gehäuse: TO247
IGBT 650V 80A 305W
Parameter
Gate-Ladung: | 120nC |
Maximale Verlustleistung: | 305W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,2V ~ 4,8V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gate-Ladung: | 120nC |
Maximale Verlustleistung: | 305W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,2V ~ 4,8V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole