IGW50N65F5FKSA1
Symbol Micros:
TIGW50n65f5
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 305W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,2V ~ 4,8V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGW50N65F5FKSA1 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 60+ | 120+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,0350 | 4,5209 | 4,2780 | 4,2308 | 4,1955 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGW50N65F5FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
58 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,1955 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGW50N65F5FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
880 stk.
| Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,1955 |
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 305W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,2V ~ 4,8V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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